摘要：制備低應(yīng)力的氮化硅薄膜是微機(jī)械系統(tǒng)和集成電路中非常重要的工藝。在溫度不高于80℃的條件下,采用ICP-CVD設(shè)備,利用硅烷和氮?dú)庾鳛榍膀?qū)體沉積氮化硅介質(zhì)薄膜。研究了沉積溫度、ICP功率、硅烷與氮?dú)饬髁勘壤?、工作氣壓等因素?duì)氮化硅薄膜應(yīng)力的影響,并利用相關(guān)的理論合理解釋了應(yīng)力隨不同工藝參數(shù)變化的原因。根據(jù)研究結(jié)果,我們優(yōu)化了氮化硅薄膜沉積的工藝參數(shù),在70℃低溫條件下,制備出厚度160 nm,應(yīng)力0.03 MPa的低應(yīng)力氮化硅介質(zhì)薄膜。