摘要：為研究N2壓強(qiáng)以及流量在磁控濺射中對(duì)TiN薄膜生長(zhǎng)的影響,通過(guò)改變N2氣壓以及流量使用射頻磁控濺射設(shè)備在基片溫度為300℃,時(shí)長(zhǎng)2h下生長(zhǎng)TiN薄膜。采用電子掃描顯微鏡(SEM)表征薄膜形貌,獲得不同的TiN薄膜微觀圖像。通過(guò)改變工藝參數(shù),可以制備具有不同微觀形貌的TiN薄膜。