摘要：金屬納米線是未來納米電子器件中的重要組成部分,因此研究單根金屬納米線的電學(xué)性質(zhì)具有重要的意義。相對于單根納米線電學(xué)性質(zhì)的移位測量,原位測量精確度更高,結(jié)果更可靠。目前,國際上用于原位電學(xué)性質(zhì)測量的單根納米線的最小直徑為80 nm,更小直徑的納米線很難在納米孔道中生長,其電化學(xué)生長動力學(xué)過程還不清楚,電阻率數(shù)據(jù)缺失。本文在單個蝕刻離子徑跡孔道中利用電化學(xué)沉積技術(shù)成功生長了單根Cu納米線,其直徑僅為64 nm,為目前同方法最細(xì)。在此基礎(chǔ)上,首次測量了該納米線的電輸運性質(zhì)并獲得了其電阻率數(shù)值。研究結(jié)果表明,利用電導(dǎo)法可以監(jiān)測模板中單個孔道的形成和擴孔的動力學(xué)過程以及最終的孔徑大小。電化學(xué)沉積時,沉積電流與沉積時間曲線清晰地揭示了納米線的沉積動力學(xué)過程。Ⅰ-Ⅴ曲線研究顯示Cu納米線具有典型的金屬特性。其電阻率為3.46μΩ·cm,約是Cu塊體材料電阻率的兩倍。電阻率增大可能與電子在晶界和表面處的散射有關(guān)。