摘要：利用真空熱蒸發(fā)法在玻璃基片上制備SnS薄膜，在50℃～200℃之間，研究了基片溫度對SnS薄膜的結構、形貌和光電性能的影響。結果表明，隨著基片溫度的升高，SnS薄膜的結晶度越好，薄膜變得更光滑，薄膜顆粒也增大了；薄膜的平均粗糙度從19．1nm減小到3．92nm，薄膜顆粒的平均粒徑從108nm增大到150nm。而且隨著基片溫度的升高，SnS薄膜的栽流子濃度從7．118×10^13cm^-3提高到2．169×10^15cm^-3，而電阻率從641．8Ω·cm降低到206．2Ω·cm。但是基片溫度對薄膜的物相結構和導電類型沒有影響。在不同基片溫度下，所制備的薄膜都是具有正交結構的多晶SnS，在（111）晶面上有很強的擇優(yōu)取向，其導電類型都為P型。