摘要：基于130 nm CMOS工藝,設(shè)計(jì)了一種24 GHz工作頻率的單刀雙擲(SPDT)開關(guān)。該開關(guān)基于π型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),將浮體技術(shù)和堆疊晶體管結(jié)構(gòu)應(yīng)用于開關(guān)的并聯(lián)臂、串聯(lián)臂,實(shí)現(xiàn)了低插入損耗、高隔離度和高線性度。仿真結(jié)果表明,該SPDT開關(guān)的插入損耗S21的-1.5 dB帶寬為20~26 GHz。在20~26 GHz頻率范圍內(nèi),輸入回波損耗S11小于-18 dB,輸出回波損耗S22小于-17 dB,隔離度S12大于32.2 dB。在頻率24.5 GHz處,S21可達(dá)-1.45 dB,輸入1 dB壓縮點(diǎn)為17.36 dBm。