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磁壓縮脈沖發(fā)生器的仿真與研究

摘要:設計一種應用于水中放電能夠輸出快前沿納秒級高壓窄脈沖的兩級磁壓縮脈沖發(fā)生器,根據(jù)磁脈沖壓縮原理設計出磁開關相關參數(shù),擊穿水介質產生等離子放電通道需要均勻的電場,因此外置磁復位電路清理剩磁。選用鐵基納米晶磁芯在PSPICE仿真軟件中創(chuàng)建磁開關模型并添加封裝庫,磁開關模型能夠很好地模擬MPC(magnetic pulse compression)在實際應用中電壓電流逐級壓縮的工作狀態(tài)。頻率、脈寬和相位可調的優(yōu)點使IGBT(insulated gate bipolar transistor)在實際應用中常作為初級控制開關,用于輔助MPC設計一種三極管電壓反向放大延時電路封裝開關模型,來實現(xiàn)與實際選用IGBT開關參數(shù)的對應。由仿真結果,50Ω電阻上輸出一個上升沿90ns,幅值8.5kV的高壓窄脈沖,前沿壓縮倍數(shù)為6.4。

關鍵詞:
  • 磁脈沖壓縮  
  • pspice仿真  
  • 磁開關模型  
  • igbt  
  • 窄脈沖  
作者:
李彪; 李孜; 饒俊峰; 姜松
單位:
上海理工大學光電與計算機工程學院; 上海200093
刊名:
上海理工大學學報

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期刊名稱:上海理工大學學報

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