摘要：銫基鹵化鉛(CsPbI3)鈣鈦礦納米晶具有高光致發(fā)光效率、窄的半峰寬及高量子產(chǎn)率等光電特性。但是由于納米晶的表面缺陷,導(dǎo)致CsPbI3鈣鈦礦納米晶穩(wěn)定性較差,限制了其應(yīng)用范圍。改善表面缺陷,提高納米晶的穩(wěn)定性成為研究熱點(diǎn)。所以在傳統(tǒng)熱注法制備CsPbI3納米晶的基礎(chǔ)上,采用簡(jiǎn)單的母液稀釋法,160℃下油浴合成晶格間距為0.62 nm對(duì)應(yīng)CsPbI3標(biāo)準(zhǔn)卡片(100)晶面的立方相納米晶。通過(guò)表征納米晶的熒光發(fā)射和吸收性能,并結(jié)合穩(wěn)定時(shí)間的變化,結(jié)果發(fā)現(xiàn)其發(fā)射峰穩(wěn)定在680~700 nm左右。穩(wěn)定時(shí)間由原來(lái)的7 d提高到10 d,大大提高了CsPbI3納米晶的穩(wěn)定性,而且降低了發(fā)射波長(zhǎng)峰值處強(qiáng)度衰減速率,延遲了熒光猝滅進(jìn)程。