摘要：基于TSMC 0.18μm RFCMOS工藝,設(shè)計(jì)了一款應(yīng)用于P波段和L波段(405 M-2.2 GHz)的全集成射頻發(fā)射前端芯片.系統(tǒng)由單轉(zhuǎn)雙巴倫、混頻器、可變增益放大器和驅(qū)動(dòng)放大器組成,系統(tǒng)架構(gòu)基于改進(jìn)的直接上變頻方案.基帶和本振端口的巴倫采用了一種能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)噪聲和非線性消除及寬帶阻抗匹配的結(jié)構(gòu),混頻器使用了正交雙平衡基爾伯特結(jié)構(gòu),可變增益放大器基于跨導(dǎo)可變的共源共柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì),驅(qū)動(dòng)放大器采用了具有高線性度和寬帶匹配特性的推挽結(jié)構(gòu).后仿真結(jié)果表明,在3.3 V電源電壓下,該發(fā)射前端直流電流為76 m A,版圖面積為2.4 mm×2.0 mm;具有可控電壓增益10-30 dB;輸出1 dB壓縮點(diǎn)大于10.8 dBm;中頻大于25 MHz時(shí),噪聲系數(shù)小于8 dB;基帶和射頻端口反射系數(shù)小于-20 dB,本振端口反射系數(shù)小于-15 dB.