摘要：采用密度泛函B3LYP方法在6-311++G基組下優(yōu)化基態(tài)CF4分子,計算出CF4分子鍵長、偶極距、Mulliken電荷布居分布、分子前線軌道能量和紅外光譜等數(shù)據(jù),并且在此基礎上采用雜化CIS方法計算CF4分子前9個激發(fā)態(tài),得到分子激發(fā)能、波長和振子強度。研究得出隨著電場強度的增加(電場范圍在-0.04~0.04a.u.),CF4分子F2—C1鍵長隨著電場強度增加而增大,其余鍵長減小,分子偶極距先減小后增加,C1電荷布居數(shù)先減小后增大,F2電荷布居數(shù)線性減小,F3、F4和F5電荷布居數(shù)線性增大,分子能隙逐漸減小,在外電場作用下CF4分子結(jié)構(gòu)對稱性破壞,紅外光譜吸收峰數(shù)量增多,吸收峰吸收強度發(fā)生不同改變。分子前9個激發(fā)態(tài)受電場影響明顯,激發(fā)能隨著電場的增加大致呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢,激發(fā)態(tài)波長基本為先發(fā)生藍移現(xiàn)象,后呈現(xiàn)紅移現(xiàn)象,振子強度變化劇烈,為從光譜方面研究激發(fā)態(tài)做出理論計算。