摘要：對在不同厚度二氧化硅下刻蝕離子對懸浮結(jié)構(gòu)造成的反濺刻蝕損傷進行對比研究，獲得了最優(yōu)防反濺二氧化硅厚度。在最小和最大刻蝕尺寸一定的情況下，硅互連引線上熱氧化生長厚度分別為2000A°、1000A°、600A°和400A°,的二氧化硅，通過刻蝕釋放實驗觀察刻蝕后硅引線和懸浮結(jié)構(gòu)背面形貌?？色@得最優(yōu)二氧化硅厚度為600A°，此時刻蝕離子對懸浮結(jié)構(gòu)背面反濺刻蝕損傷最小。