摘要：為解決在MEMS器件深腔結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)的引線斷裂問(wèn)題，提出了一種W／WNx／Cr／Au四層金屬引線制作方法，解決了Au擴(kuò)散和深腔結(jié)構(gòu)中引線斷裂的問(wèn)題。通過(guò)選擇噴膠法，選擇最合適的光刻參數(shù)，解決深腔金屬引線光刻難題，制備得到W／WNx／Cr／Au四層金屬引線，該引線具有低電阻率、高穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，完全滿(mǎn)足MEMS器件引線連接要求。