摘要：AlGaInP是GaAs基LED有源區(qū)主要材料,廣泛應(yīng)用于黃綠光至紅光波段的LED。但在短波段尤其是黃綠光波段(565~575nm),因其材料組成較接近間接帶隙,其發(fā)光效率和穩(wěn)定性存在問題。目前黃綠光功率衰減以俄歇復(fù)合損耗、非復(fù)合輻射中心損耗、載流子損耗為主。所以研究相同生長溫度不同阱壘厚度、量子阱相同厚度不同生長溫度、P型摻雜層摻雜濃度對發(fā)光光衰的影響。發(fā)現(xiàn)較薄的MQW阱壘厚度、較高的MQW生長溫度及P-space后端P型層前端插入一層20nm厚度,1.7×10^18cm^-3濃度的高摻雜層三種方案可以改善黃綠光發(fā)光二極管光衰性能。