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2.5D硅轉(zhuǎn)接板TSV結(jié)構(gòu)研究

摘要:針對結(jié)構(gòu)參數(shù)對TSV可靠性影響不明確的問題,文中采用有限元分析和模型簡化的方法,分析了TSV結(jié)構(gòu)在溫度循環(huán)條件下的應(yīng)力應(yīng)變分布,并進(jìn)一步研究了銅柱直徑、SiO 2層厚度以及TSV節(jié)距等結(jié)構(gòu)參數(shù)對TSV結(jié)構(gòu)可靠性的影響。結(jié)果表明,采用文中的方法簡化模型后得出的結(jié)果擬合度在0.95以上;在TSV結(jié)構(gòu)上施加溫度循環(huán)載荷時,在SiO 2界面會出現(xiàn)應(yīng)力集中,而在鈍化層中會出現(xiàn)應(yīng)變增大;改變銅柱直徑、絕緣層厚度和TSV節(jié)距將顯著影響TSV結(jié)構(gòu)的可靠性;減小填充銅的直徑、增加SiO 2層的厚度、增加TSV節(jié)距,都將有助于減小TSV結(jié)構(gòu)的最大應(yīng)力。

關(guān)鍵詞:
  • tsv  
  • 有限元分析  
  • 模型簡化  
  • 溫度循環(huán)  
  • 結(jié)構(gòu)參數(shù)  
  • 應(yīng)力集中  
作者:
劉建松; 林鵬榮; 黃穎卓; 練濱浩
單位:
北京微電子技術(shù)研究所; 北京100076
刊名:
電子科技

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期刊名稱:電子科技

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