摘要：采用射頻磁控濺射法在玻璃上動(dòng)態(tài)制備高質(zhì)量的摻鋁ZnO(AZO)透明導(dǎo)電膜,研究了動(dòng)態(tài)沉積條件下AZO薄膜的膜厚和電阻率均勻性,以及濺射氣壓對(duì)AZO薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。結(jié)果表明:在動(dòng)態(tài)沉積模式下,獲得了具有優(yōu)良膜厚和電阻率均勻性;AZO薄膜在400~800nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的平均透過(guò)率高于90%;同時(shí)隨著濺射氣壓的增加,晶粒尺寸從47.8nm逐漸減小到41.4nm,禁帶寬度從3.46eV逐漸降低到3.40eV,電阻率先降低后上升,在0.5Pa時(shí)電阻率為最低值1.5×10^-3Ω·cm。