摘要：為提升器件電流等級(jí)，大功率IGBT往往由多個(gè)芯片與子單元并聯(lián)組成。當(dāng)芯片與子單元并聯(lián)時(shí)，有效控制器件內(nèi)部的均流效果非常重要。文章分析了寄生電感對(duì)器件均流的影響，并通過(guò)理論推導(dǎo)分析了芯片參數(shù)對(duì)靜態(tài)均流的影響，最后通過(guò)仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了芯片參數(shù)對(duì)動(dòng)態(tài)均流的影響。結(jié)果表明，主回路寄生參數(shù)的不對(duì)稱對(duì)均流的影響大于芯片參數(shù)差異的，而兩者對(duì)開(kāi)通均流的影響又都大于對(duì)關(guān)斷均流的影響。
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期刊名稱：大功率變流技術(shù)
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