摘要：微通道板(MCP)是光通訊和光電子技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)電子倍增和信號(hào)放大的核心器件,其性能提升主要包括提高增益、延長(zhǎng)壽命和降低暗計(jì)數(shù)。目前國(guó)內(nèi)外普遍使用的商品化微通道板仍是基于傳統(tǒng)鉛硅酸鹽玻璃經(jīng)氫還原工藝制備的。盡管經(jīng)過四代玻璃組分和制備工藝優(yōu)化,MCP增益可達(dá)103,壽命為0.3 C/cm^2,暗計(jì)數(shù)為0.25 events/(s·cm^2),但由于玻璃組分和復(fù)雜制備工藝的限制,其離子反饋、背景噪聲很難進(jìn)一步降低,增益也無(wú)法大幅提升。鑒于此,近10年來(lái)科研人員提出并完善了新的解決方案———利用原子層沉積(ALD)技術(shù),在硼硅酸鹽玻璃基板孔內(nèi)制備導(dǎo)電層和二次電子發(fā)射層等功能層,從而獲得具有導(dǎo)電和電子倍增能力的微通道板。這種新型原子層沉積微通道板(ALD-MCP)有效避免了基板玻璃材料對(duì)其性能優(yōu)化的制約,實(shí)現(xiàn)了基板材料和功能材料的獨(dú)立設(shè)計(jì),能夠顯著提高微通道板的綜合性能。經(jīng)過一系列嘗試,國(guó)際上已開發(fā)出性能遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)MCP的ALD功能層:以Al2 O3/ZnO、Al2 O3/W或Al2 O3/Mo為導(dǎo)電層,MgO或Al2 O3為二次電子發(fā)射層的ALD-MCP增益已達(dá)104,暗計(jì)數(shù)降低至0.078 events/(s·cm^2),壽命提升至7 C/cm^2,但是其性能穩(wěn)定性仍有待進(jìn)一步提高。此外,還需要在提高沉積效率、優(yōu)化調(diào)控功能層性能等方面進(jìn)一步深入研究。本文從功能層的組成和微通道板的性能兩方面歸納、梳理了利用原子層沉積技術(shù)制備微通道板的國(guó)內(nèi)外研究情況,并總結(jié)了目前研究中存在的不足,展望了未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。