摘要：為產(chǎn)生一個低溫度系數(shù)的基準電源,設(shè)計一種無運算放大器的帶隙基準電路。通過對晶體管基射級電壓進行高階溫度補償?shù)姆绞?產(chǎn)生具有更低溫度系數(shù)的基準電壓。其中二階溫度補償電路采用MOS管,PTAT電流由電流鏡實現(xiàn),省掉運算放大器,節(jié)省芯片面積。電路采用0.5μm BCD工藝進行仿真。在5.8 V供電電源下、-40℃~150℃的溫度內(nèi),得到基準電壓為1.26~1.262 V,溫度系數(shù)為8.07×10^-6/℃。