摘要：通過電化學和化學機械拋光(CMP)實驗研究了紫外光及催化劑對GaN電化學特性及去除速率的影響。電化學實驗結果表明,采用K2S2O8作為氧化劑時GaN的腐蝕電位隨氧化劑的濃度增大而降低。在H2O2和K2S2O8體系中分別加入ZnO催化劑并進行紫外光照射,其腐蝕電位進一步降低,腐蝕速率加快。CMP結果顯示,在H2O2和K2S2O8拋光液體系中,紫外光的加入能有效提高GaN的去除速率;加入ZnO催化劑后,GaN的去除速率進一步提高,當H2O2體積分數為3%、 ZnO的質量分數為0.05%時,GaN的去除速率達239.7 nm/h;當K2S2O8體積分數0.15 mol/L、ZnO的質量分數0.05%時,GaN的去除速率為428.0 nm/h,此時GaN表面粗糙度為1.18 nm。紫外光照射和ZnO催化劑能夠明顯提高CMP過程中GaN的去除速率。