摘要：對GaN器件制備過程中AlN緩沖層相關(guān)的電活性缺陷進(jìn)行了C-V和深能級瞬態(tài)譜(DLTS)研究。C-V研究結(jié)果表明,制備態(tài)Ni-Au/AlN/Si MIS器件中,靠近AlN/Si界面處的摻雜濃度為4.4×1017 cm-3,明顯高于Si襯底的1.4×1016 cm-3,意味著制備態(tài)樣品中Al原子已經(jīng)向襯底硅中擴(kuò)散。采用退火工藝研究了GaN器件制備過程中的熱影響以及熱處理前后電活性缺陷在硅襯底中的演變情況,發(fā)現(xiàn)退火處理后,Al原子進(jìn)一步向襯底硅中更深處擴(kuò)散,擴(kuò)散深度由制備態(tài)的500nm左右深入到1μm附近。DLTS研究結(jié)果發(fā)現(xiàn),在Si襯底中與Al原子擴(kuò)散相關(guān)的缺陷為Al-O配合物點(diǎn)缺陷。DLTS脈沖時間掃描表明,相比于制備態(tài)樣品,退火態(tài)樣品中出現(xiàn)了部分空穴俘獲時間常數(shù)更大的缺陷,退火處理造成了點(diǎn)缺陷聚集,缺陷類型由點(diǎn)缺陷逐漸向擴(kuò)展態(tài)缺陷發(fā)展。